光刻就是将构成芯片的图案蚀刻到硅晶圆上过程。晶圆上涂有称为光刻胶的光敏材料，然后将该晶圆暴露在通过掩模照射的明亮光线下。掩模掩盖的区域将保留其光刻胶层，而直接暴露于紫外线的那些会脱落。
接着使用等离子体或酸蚀刻晶片（浸式）。在蚀刻过程中，被光刻胶中覆盖的晶片部分得到保护，可保留氧化硅; 其他被蚀刻掉。
显然，光线波长小的话可以创造更精细的细节，比如更窄的电路、更小的晶体管。不过在当下14nm的制造中并没有使用，而是借助多重图案曝光技术（多个掩膜和曝光台）实现。
可是步骤越多，制造时间就会越长，缺陷率也会随之提高。所以，更短的紫外线光不得不被提升上技术日程。
芯片行业从20世纪90年代开始就考虑使用13.5nm的EUV光刻（紫外线波长范围是10~400nm）用以取代现在的193nm。EUV本身也有局限，比如容易被空气和镜片材料吸收、生成高强度的EUV也很困难。业内共识是，EUV商用的话光源功率至少250瓦，Intel还曾说，他们需要的是至少1000瓦。
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